無論是早期的LED還是近年來獲得廣泛應(yīng)用的有機(jī)發(fā)光二極管（OLED），到現(xiàn)在的先進(jìn)芯片封裝工藝，終端基底材料難以承受沉積、蒸鍍等高溫工藝環(huán)節(jié)而極易損傷變形一直是柔性器件制造技術(shù)中的共性問題，需要在制造前期以玻璃、藍(lán)寶石、硅片等剛性材料作為搭載基底，再通過后期的剝離工藝完成器件向柔性基底的轉(zhuǎn)移。

柔性O(shè)LED顯示屏采用柔性PI（聚酰亞胺）薄膜作為基板，玻璃基板則被作為載板來使用，因此，激光剝離（LLO）成為生產(chǎn)柔性O(shè)LED屏的關(guān)鍵工藝之一，旨在從玻璃載體上剝離用作基板的PI薄膜。

激光剝離技術(shù)（LLO）通過脈沖激光輻照致材料燒蝕實(shí)現(xiàn)器件向終端基底的轉(zhuǎn)移。相比于化學(xué)剝離、機(jī)械剝離和離子束等其他高能束剝離，激光剝離技術(shù)具有能量輸入效率高、器件損傷小、設(shè)備開放性好、應(yīng)用方式靈活等優(yōu)勢(shì)，已成為柔性電子器件制造的新興關(guān)鍵技術(shù)。

隨著柔性電子器件的蓬勃發(fā)展，激光剝離技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用到多種類型器件的制造工藝中。生產(chǎn)中常用激光源為脈寬在納秒量級(jí)的紫外準(zhǔn)分子激光或固體激光，激光能量密度多在102 mJ/cm2量級(jí)之內(nèi)，可以保證厚度在幾十微米量級(jí)膜層的激光剝離效果，同時(shí)降低激光熱效應(yīng)造成的剝離損傷。

柔性顯示器制造激光剝離工藝

大尺寸柔性顯示器的制造需要實(shí)現(xiàn)大面積基底的可靠剝離，對(duì)激光剝離技術(shù)提出了更快的剝離速度、更穩(wěn)定的剝離效果等要求。將激光束整形為線形/矩形光束或直接采用未聚焦光束以增加激光作用區(qū)域來提高剝離效率是較常采用的解決方案。

柔性顯示屏制造需要依靠激光能量密度、重復(fù)頻率、掃描速度等激光工藝參數(shù)的優(yōu)化，也需要光束整形技術(shù)提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐，同時(shí)還需要考慮剝離膜層的熱物理性質(zhì)。

激光誘導(dǎo)的界面剝落（LIIS）工藝，該工藝具有創(chuàng)新的操作模式和剝落機(jī)制，可實(shí)現(xiàn)具有可控表面微觀形貌和極薄厚度（1μm）的柔性電子器件的可靠剝離。觀察到激光輻照后界面微觀形貌的顯著變化，并對(duì)界面PI的燒蝕進(jìn)行了理論研究，以揭示通過熔融PI在界面周圍的流體動(dòng)力散裂過程使界面附著力減弱。PI-玻璃界面的分層程度可以根據(jù)內(nèi)部空腔的體積計(jì)算得出，并且可以實(shí)現(xiàn)可控且通用的界面分層。通過不同界面狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換，超薄柔性電子器件可以從具有可控納米結(jié)構(gòu)表面形貌的施主剛性基板中釋放出來，這可以賦予柔性電子器件以非凡的功能，例如可調(diào)光阱、疏水性等。

圖1.（a）用于制造柔性電子設(shè)備的LIIS工藝的示意圖。（b）LIIS期間激光燒蝕過程的示意圖。激光吸收引起的局部高溫會(huì)導(dǎo)致受影響的PI分解以及氣體產(chǎn)物的產(chǎn)生，從而驅(qū)動(dòng)燒蝕過程并確定PI玻璃界面的最終狀態(tài)。（c-e）工藝參數(shù)的不同組合可能導(dǎo)致不同的LIIS結(jié)果：（c）不完全分離：PI膜的照片仍然粘附在玻璃基板上，界面分離不完全；（d）無損分離：從玻璃基板無損釋放的超薄PI膜的照片；（e）破壞性分離：在破壞性的LIIS過程之后起皺的超薄PI膜的照片。

圖2.（a）具有清晰和平滑表面形態(tài)的PI膜的SEM照片；（b，c）從玻璃基板上釋放出來的超薄柔性應(yīng)變傳感器和厚度為2μm的表面肌電圖貼片的照片，沒有任何褶皺和碳化；（d）具有稀疏的納米柱結(jié)構(gòu)，96 mJ/cm2，APN = 40的PI表面的SEM照片；（e）具有密集納米柱結(jié)構(gòu)，96 mJ/cm2，APN=10的PI表面的SEM照片；（f）在LED燈的照射下，兩個(gè)不同的PI膜的照片覆蓋在文件上的表面光滑（a）和致密的納米結(jié)構(gòu)表面（e）的照片。（g）具有光滑表面（a）和致密納米結(jié)構(gòu)表面（e）的兩種不同PI膜的透射光譜。（h）測(cè)量具有光滑表面，稀疏納米結(jié)構(gòu)表面和致密納米結(jié)構(gòu)表面的三種不同PI膜的接觸角。

OLED激光剝離工藝要點(diǎn)

LLO制程的特征與優(yōu)勢(shì)

(1)UV Pulse Laser作業(yè)制程

此激光對(duì)PI膜的穿透深度較淺、Pulse時(shí)間寬度較短, 因此對(duì)器件幾乎無產(chǎn)生熱效應(yīng)影響(低溫制程)。

(2)從基板背面方向開始照射

制程不會(huì)受組件損壞限制、剝離反應(yīng)的型成可以在制程過程結(jié)束時(shí)完成。

(3)1 shut / 能量密度門坎必須高達(dá)到PI界面分離的能量通量。

LLO制程用激光所需特性描述

(1)大面積制程需高能量/高輸出脈沖激光

例G6H尺吋(925mm×1500mm)可處理最大尺吋750mm或950mm長(zhǎng)度, 能量密度線光斑需達(dá)數(shù)百mJ/cm2。以對(duì)應(yīng)顯示器制程線光斑長(zhǎng)度之需求能量。

(2) PI層使用紫外線波長(zhǎng)用于淺穿透度*

*取決于PI特性(可視區(qū)域), 透明PI上限為 355nm (Nd:YAG激光的3倍波)。

(3) 可通過玻璃基板波長(zhǎng)

無堿玻璃的可穿透范圍 (308nm XeCl準(zhǔn)分子激光波長(zhǎng))以上的波長(zhǎng)。

PI吸收率(1)

一般無堿玻璃的穿透率

LLO制程的照射光束

激光振蕩器的輸出光束形狀取決于放電強(qiáng)度分布/YAG結(jié)晶激發(fā)介質(zhì)/共振器的構(gòu)造, 通常以不均勻的光束形狀照射PI界面,整個(gè)照射區(qū)域都會(huì)產(chǎn)生較 大的能量密度變化、在能量密度高的區(qū)域進(jìn)行了強(qiáng)力處理反應(yīng), 而在能量密度低的區(qū)域中, 則存留未完全剝離現(xiàn)象。

典型的YAG激光束形狀圖

典型的準(zhǔn)分子激光束形狀

因此, 使用分散均質(zhì)器光學(xué)系統(tǒng)剝離(ablation)制程門坎, 需要以更高能量密度照射。

分散型均質(zhì)器和均勻線光斑之形狀原理

PI 材料的條件

作為激光燒蝕制程的條件、由于脈沖激光的光吸收, 材料需要迅速升高至汽化溫度。因此在幾十納秒的輻照時(shí)間范圍內(nèi), 材料的光穿透深度必須淺(數(shù)百nm～)、且在幾時(shí)納秒的激光輻照時(shí)間范圍內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)低 (難以冷卻)必要條件。如果組件底部材料條件不足此要求, 則可以使用吸收激光光的犧牲膜, 例如a-Si 膜。

線光班LLO 制程結(jié)果

在無堿玻璃上涂布三井化學(xué)的透明PI VICT-C, 用波長(zhǎng)308nm的均勻光束照射實(shí)驗(yàn)結(jié)果130mJ/cm2 以上的能量密度剝離結(jié)果如下。

能量密度的剝離結(jié)果

照射區(qū)域的照片是玻璃表面上的PI 膜觀察。120mJ/cm2 由牛頓環(huán)觀察到的部份區(qū)域已開始剝離、150mJ/cm2 大部份已剝離。您還可以看到由于燒蝕對(duì)流產(chǎn)生部份碎片 (付著物)。這種對(duì)流是由1Shut 激光脈沖產(chǎn)生的、 剝離后PI 膜會(huì)有一定程程度的膨脹厚度的可能性。而這種沖擊可能會(huì)損壞組件, 照射能量門坎應(yīng)設(shè)置到非常接近剝離的值。照射光束的均勻度在±5%以內(nèi)、區(qū)域間剝離能量密度的差異, 被認(rèn)為是由于玻璃和PI之間界面粘合度變化所致。

LLO剝離制程于透明ＰＩ膜、其機(jī)械性或熱物性性質(zhì)幾乎沒有變化。

關(guān)于光學(xué)物性當(dāng)能量密度增加和重迭增加時(shí), 色相會(huì)變差。

LLO剝離后透明PI的機(jī)械物性變化(拉申試驗(yàn))

LLO 剝離后透明PI 的熱效應(yīng)物性變化 (Tg; 玻璃轉(zhuǎn)移溫度、Td1; 1%重量減少溫度、 CTE; 線膨張系數(shù)(100-200℃))

LLO剝離后透明PI的光學(xué)物性變化

用線光斑照射在玻璃基板和PI 的界面層時(shí), 以略高于制程門坎值的能量密度進(jìn)行照射, 必須以2-10 shuts 重迭進(jìn)行掃描 (移動(dòng)玻璃基板) 以達(dá)成被照射的表面完全剝離。

Line Beam 線光班的掃描與重迭

柔性能量裝置制造激光剝離工藝

能量收集裝置可以將溫差、振動(dòng)、形變等轉(zhuǎn)換為電能，從而對(duì)各類電子設(shè)備提供持續(xù)的能源供應(yīng)。目前大多數(shù)柔性能量收集裝置多采用有機(jī)壓電聚合物，需做成多層結(jié)構(gòu)以提高能量轉(zhuǎn)換效率，工藝復(fù)雜性和制作成本居高不下。

激光剝離技術(shù)可應(yīng)用于將具有更高儲(chǔ)能性的無機(jī)壓電陶瓷薄膜材料進(jìn)行轉(zhuǎn)移，如采用激光剝離技術(shù)在柔性基底上制備基于鋯鈦酸鉛（PZT）壓電陶瓷的大面積儲(chǔ)能納米發(fā)電機(jī)。經(jīng)拉曼光譜分析可知，激光剝離不會(huì)影響到薄膜的電學(xué)性能，進(jìn)一步體現(xiàn)出該技術(shù)對(duì)各種脆性薄膜材料轉(zhuǎn)移的優(yōu)勢(shì)。

柔性傳感器制造激光剝離工藝

柔性傳感器的工藝與OLED柔性顯示的工藝十分類似。目前應(yīng)用于電子傳感設(shè)備觸控層最廣泛的氧化銦錫（ITO）透明導(dǎo)電薄膜是一種脆性材料，并不適合于柔性觸控層，采用壓電薄膜實(shí)現(xiàn)具有嵌入式感測(cè)功能的柔性觸控層已成為該領(lǐng)域的努力方向。

常見的高性能壓電材料，如鋯鈦酸鉛鑭（PLZT）壓電薄膜，在材料制備及器件制造過程中，其含Pb成分都極易產(chǎn)生有毒性揮發(fā)。X射線衍射圖譜分析發(fā)現(xiàn)，激光剝離轉(zhuǎn)移前后的含Pb類膜層均未出現(xiàn)晶相結(jié)構(gòu)變化，說明激光剝離技術(shù)可以為類似含Pb等易揮發(fā)性元素的柔性薄膜器件制造提供一種環(huán)境友好的無污染制備工藝。

柔性存儲(chǔ)器制造激光剝離工藝

以閃存、鐵電存儲(chǔ)和電阻式存儲(chǔ)等為代表的有機(jī)材料柔性存儲(chǔ)器可以通過旋轉(zhuǎn)涂敷或輥軋工藝直接制備在柔性基底上。為了防止有機(jī)基底受熱損傷，制造過程需要在低溫條件下進(jìn)行，而通常低溫薄膜的質(zhì)量會(huì)遠(yuǎn)差于高溫薄膜。

相比于傳統(tǒng)的低溫條件下的旋轉(zhuǎn)涂敷或輥軋工藝，以激光作為剝離技術(shù)手段可以完全實(shí)現(xiàn)工藝的高溫制作，確保器件的高性能。

晶圓級(jí)封裝激光剝離工藝

發(fā)展柔性電子產(chǎn)品，需要超薄和高密度封裝技術(shù)的支持。臨時(shí)鍵合-解鍵工藝是柔性電子設(shè)備晶圓級(jí)封裝技術(shù)的關(guān)鍵，采用激光剝離技術(shù)，可以通過調(diào)節(jié)激光輸入功率和光束整形對(duì)剝離效果進(jìn)行有效控制，實(shí)現(xiàn)無殘留的載片解鍵合。

在先進(jìn)封裝工藝（FOWLP）中對(duì)激光解鍵合后的晶圓損傷以及晶圓本身翹曲帶來的一系列問題一直沒有完善的解決方案，這是因?yàn)镽elease材料的厚度是納米級(jí)，且不同材料CTE不同造成的。通過激光束形技術(shù)，保證在晶圓上面激光能量的均勻性，解決了晶圓損傷的問題，針對(duì)晶圓翹曲開發(fā)的AF（自動(dòng)對(duì)焦）功能，避免了晶圓Warpage影響剝離效果等問題。

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖

高斯光轉(zhuǎn)換平頂光示意圖

增AF示意圖

臨時(shí)鍵合需要鍵合（bonding）和剝離（debonding）兩種工藝。從扇出型晶圓級(jí)封裝（fan-out wafer-level packaging，F(xiàn)oWLP）到功率器件，每種應(yīng)用在工藝溫度、機(jī)械應(yīng)力和熱預(yù)算等方面都有獨(dú)特的要求，因此確定合適的剝離技術(shù)比較困難。這里只是枚舉了幾個(gè)例子，實(shí)際情況更為復(fù)雜。我們將在本文中重點(diǎn)討論激光剝離（laser debonding）：如抗高溫更兼容的材料可應(yīng)用于哪些情況，激光剝離的特性適于哪些應(yīng)用等。

為了控制剝離帶來的熱輸入，紫外激光（UV lasers）常被用于剝離不同材料供應(yīng)商提供的不同臨時(shí)鍵合材料。為了確保最低的維護(hù)工作量，二極管泵浦固體激光器（diode-pumped solid-state，DPSS）可將高度工藝控制的光束整形光學(xué)（beam-shaping optics）與最低熱輸入相結(jié)合，不失為是一項(xiàng)正確的選擇。

圖1 Chipfirst扇出型晶圓級(jí)封裝制造工藝流程示意圖

圖2 Chiplast扇出型晶圓級(jí)封裝（又稱RDL first）制造工藝流程示意圖

扇出型晶圓級(jí)封裝（FoWLP）中臨時(shí)鍵合面臨的挑戰(zhàn)

FoWLP能在行業(yè)內(nèi)收獲巨大利益，一定程度上取決于其采用了載板（carrier），臨時(shí)鍵合材料對(duì)化學(xué)和熱兼容性的要求很高。某些聚酰亞胺符合這種嚴(yán)苛的環(huán)境，也適用于激光剝離。

盡管鍵合和剝離都是FoWLP的工藝，但兩者的需求差異很大。通過觀察各種應(yīng)用中不同的半導(dǎo)體工藝，顯然沒有任何一種剝離工藝解決方案可與所有的半導(dǎo)體工藝兼容，多個(gè)解決方案是必然選擇。這就是開發(fā)出的各種各樣的剝離工藝（剝離技術(shù)是臨時(shí)鍵合的特征）至今仍都在使用的原因。

晶圓加工中主流剝離技術(shù)的比較

最常見的方法有：熱滑動(dòng)剝離（thermal slide-off debonding）、機(jī)械剝離（mechanical debonding）和紫外激光剝離（UV laser debonding）。這三種方法均適用于大批量生產(chǎn)，在工藝兼容性方面差異巨大。

熱滑動(dòng)剝離（thermal slide-off debonding）是一種利用熱塑材料作為器件與載板晶圓（carrier wafer）之間粘合夾層（adhesive interlayer）的方法。該方法利用了熱塑材料的可逆熱特性，意味著在較高的溫度下，該材料的粘度會(huì)下降，從而能通過簡(jiǎn)單地滑動(dòng)兩邊的晶圓來完成剝離。熱剝離的特點(diǎn)是根據(jù)熱塑材料的溫度特性，使用范圍在130°C到350°C之間，因此在較高的溫度下就可完成鍵合與剝離。溫度穩(wěn)定性在很大程度上取決于機(jī)械應(yīng)力，我們可以觀察到這是由于熱塑材料在高溫下具有低粘度。

機(jī)械剝離（mechanical debonding）是一種高度依賴晶圓表面特性、臨時(shí)鍵合材料的粘附力和內(nèi)聚力的方法。對(duì)于大多數(shù)材料系統(tǒng)，均可使用機(jī)械釋放層（mechanical release layer）來實(shí)現(xiàn)可控剝離。機(jī)械剝離的主要特點(diǎn)是：可在室溫下處理，且強(qiáng)烈依賴機(jī)械應(yīng)力。由于機(jī)械剝離需要在臨時(shí)鍵合材料與晶圓間產(chǎn)生低粘附力才能成功剝離；因此，在FoWLP應(yīng)用中使用這種方法是有些困難的。這是因?yàn)镕oWLP工藝中產(chǎn)生的較高應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致自發(fā)性的剝離，甚至在減薄工藝中也會(huì)出現(xiàn)，這就會(huì)導(dǎo)致良率的急劇下滑。

激光剝離（laser debonding）是一種通過幾種不同的變量來實(shí)現(xiàn)剝離的技術(shù)。該方法的剝離機(jī)制依賴于：激光種類、臨時(shí)鍵合膠，以及用于該工藝的特定釋放層。紅外激光剝離依靠熱過程進(jìn)行工作：將光吸收并轉(zhuǎn)化為熱能，從而在鍵合界面內(nèi)產(chǎn)生高溫。紫外激光剝離則通常依靠化學(xué)過程進(jìn)行工作：使用光吸收的能量來破壞化學(xué)鍵。破壞聚合物的化學(xué)鍵會(huì)導(dǎo)致原始聚合物進(jìn)行分解。分解物包括氣體，就會(huì)增加鍵合界面的壓力，因而幫助剝離。由于在剝離工藝前，臨時(shí)鍵合膠對(duì)晶圓具有很高的粘附力，因此這種方法非常適用于FoWLP應(yīng)用中。

Micro LED顯示激光剝離工藝

Micro LED顯示擁有優(yōu)越的性能，但是在技術(shù)層面還有待突破，其中一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)是外延襯底的剝離?；贕aN發(fā)光材料的Micro LED芯片，由于GaN與藍(lán)寶石晶格失配度較低且價(jià)格低廉，所以藍(lán)寶石襯底成為外延生長(zhǎng)GaN材料的主流襯底。但是，藍(lán)寶石襯底的不導(dǎo)電性、差導(dǎo)熱性影響著Micro LED器件的發(fā)光效率；同時(shí)，脆性材料藍(lán)寶石不利于Micro LED在柔性顯示方向的運(yùn)用，基于以上原因及Micro LED 顯示本身分辨率高、亮度高、對(duì)比度高等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，激光剝離藍(lán)寶石是必要且關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，且激光剝離技術(shù)更能凸顯Micro LED 的優(yōu)勢(shì)。

激光剝離環(huán)節(jié)實(shí)質(zhì)上是一個(gè)單脈沖掃描的過程，因此對(duì)激光束的均勻度和穩(wěn)定性有極高的要求。

激光剝離技術(shù)通過利用高能脈沖激光束穿透藍(lán)寶石基板，光子能量介于藍(lán)寶石帶隙和GaN帶隙之間，對(duì)藍(lán)寶石襯底與外延生長(zhǎng)的GaN材料的交界面進(jìn)行均勻掃描；GaN層大量吸收光子能量，并分解形成液態(tài)Ga和氮?dú)猓瑒t可以實(shí)現(xiàn)Al2O3 襯底和GaN薄膜或GaN-LED 芯片的分離，使得幾乎可以在不使用外力的情況下，實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石襯底的剝離。

激光剝離技術(shù)的新方法

近年來隨著電子器件持續(xù)向輕薄化方向發(fā)展，器件功能層厚度與剝離損傷往往已經(jīng)達(dá)到同一數(shù)量級(jí)，使得簡(jiǎn)單添加犧牲層的方式已不能滿足要求；同時(shí)微陣列化等多種新型結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，也對(duì)激光剝離技術(shù)在微尺度上的高度選擇性提出了更苛刻的要求。為此，研究人員從激光-材料相互作用基本機(jī)制出發(fā)，在發(fā)展新一代激光剝離技術(shù)上進(jìn)行著不懈的探索。

（A）選擇性激光剝離技術(shù)

與目前廣泛應(yīng)用于柔性顯示的OLED相比，新一代顯示技術(shù)Micro-LED具有更寬的色域、更高的亮度、更低的功耗和更好的環(huán)境穩(wěn)定性，技術(shù)優(yōu)勢(shì)和提升空間不言而喻。傳統(tǒng)激光剝離技術(shù)的光斑形狀主要為線形光束或矩形光束，無法對(duì)微米級(jí)Micro-LED顆粒進(jìn)行定向轉(zhuǎn)移或剝離。選擇性激光剝離（SLLO）技術(shù)更注重器件剝離的精準(zhǔn)，由所剝離器件單元或區(qū)域的大小確定光斑尺寸大小。

嚴(yán)格控制激光能量的輸入及添加合適的犧牲層是推動(dòng)SLLO技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。雖然該技術(shù)尚處研發(fā)初期階段，但其在微小器件單元及陣列轉(zhuǎn)移上所體現(xiàn)出的精準(zhǔn)可控優(yōu)勢(shì)，使其在大規(guī)模集成電路與芯片制造領(lǐng)域具有極大的推廣可能性。

（B）激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移技術(shù)

激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移（LIFT）技術(shù)通過激光脈沖輻照透明基底表面的薄膜吸收層，控制吸收層熔融液化，以燒蝕液滴射流動(dòng)力推動(dòng)功能層的轉(zhuǎn)移。

傳統(tǒng)LLO技術(shù)為實(shí)現(xiàn)器件剝離，會(huì)避免使用高粘性材料，但LIFT技術(shù)卻恰好利用了燒蝕膜層的熔融液相動(dòng)力，因此在轉(zhuǎn)移高粘性材料方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。相比傳統(tǒng)LLO技術(shù)，LIFT技術(shù)具有更精準(zhǔn)的轉(zhuǎn)移選擇性，非常有利于實(shí)現(xiàn)高分子聚合物小尺寸圖形和微結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移。另外，LIFT技術(shù)所需的激光能量強(qiáng)度大致只有常規(guī)LLO技術(shù)的二十分之一到五分之一，對(duì)材料的剝離損傷遠(yuǎn)小于LLO技術(shù)。

（C）超快激光剝離技術(shù)

目前主流的激光剝離技術(shù)采用準(zhǔn)分子納秒脈沖激光，其主要?jiǎng)冸x機(jī)制是熱作用，會(huì)引發(fā)剝離損傷，涉及激光束能量分布不均及掃描不穩(wěn)定造成的損傷、激光輻照熱應(yīng)力的釋放損傷、膜層應(yīng)力分布不均或殘余應(yīng)力損傷等。研究人員針對(duì)這些熱損傷問題，提出采用脈寬小于10-11 s具有“冷”加工特性的超快激光源來改善納秒脈寬激光源的熱損傷。

課題組憑借在超快激光非線性效應(yīng)及材料激光高精制造方面的多年研究積累，探索超快激光應(yīng)用于LLO技術(shù)的機(jī)理與可行性。該課題組在研究中發(fā)現(xiàn)，由于脈沖的累計(jì)作用，超快激光作用的熱效應(yīng)仍然存在，但適當(dāng)?shù)臒嵝?yīng)可以提高剝離效率，這是因?yàn)檫m當(dāng)?shù)臒嵝?yīng)可以促進(jìn)燒蝕材料氣化，加快高密度等離子體的形成。高密度等離子體對(duì)激光的吸收系數(shù)遠(yuǎn)大于介質(zhì)的吸收系數(shù)，可以防止功能層對(duì)激光能量的冗余吸收，將激光能量集約在幾納米的空間尺度上。

基于超快激光的剝離技術(shù)具有高效、零損傷、高度選擇性等優(yōu)勢(shì)，有望成為柔性電子器件和Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移與組裝技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵突破點(diǎn)